Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB vs SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

Gesamtnote
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Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB

Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB

Gesamtnote
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

Unterschiede

Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    39 left arrow 73
    Rund um -87% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.6 left arrow 6.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.8 left arrow 3.2
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    73 left arrow 39
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    6.1 left arrow 13.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    3.2 left arrow 7.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1004 left arrow 1940
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RAM 1
RAM 2

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