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Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB vs SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
73
Rund um -87% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
3.2
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
73
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.1
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3.2
7.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1004
1940
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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