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Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Compara
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB vs SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
73
En -87% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
3.2
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
73
39
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
3.2
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1004
1940
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KN2M64-ETB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
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