Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB vs SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

Puntuación global
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Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB

Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB

Puntuación global
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    39 left arrow 73
    En -87% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.6 left arrow 6.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.8 left arrow 3.2
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    73 left arrow 39
  • Velocidad de lectura, GB/s
    6.1 left arrow 13.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    3.2 left arrow 7.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1004 left arrow 1940
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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