Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB vs SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

Pontuação geral
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Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB

Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB

Pontuação geral
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    39 left arrow 73
    Por volta de -87% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    13.6 left arrow 6.1
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    7.8 left arrow 3.2
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    73 left arrow 39
  • Velocidade de leitura, GB/s
    6.1 left arrow 13.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    3.2 left arrow 7.8
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1004 left arrow 1940
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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