Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB против SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB

Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB

Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    39 left arrow 73
    Около -87% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.6 left arrow 6.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    7.8 left arrow 3.2
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    73 left arrow 39
  • Скорость чтения, Гб/сек
    6.1 left arrow 13.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    3.2 left arrow 7.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1004 left arrow 1940
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения