RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
73
Около -170% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.2
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
17.0
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2379
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link