RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
73
Autour de -170% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
2379
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link