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Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB vs SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

総合得点
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Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB

Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB

総合得点
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    39 left arrow 73
    周辺 -87% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.6 left arrow 6.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.8 left arrow 3.2
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    73 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    6.1 left arrow 13.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    3.2 left arrow 7.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1004 left arrow 1940

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