RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
59
62
Autour de 5% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
2,123.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
62
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2018
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link