RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
62
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
62
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2018
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Inmos + 256MB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link