RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
59
Autour de -51% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
39
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
13.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2808
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link