RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
59
Около -51% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
39
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
13.0
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2808
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link