RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
59
Autour de -84% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2849
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kingston 99U5471-001.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link