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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
59
左右 -84% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
32
读取速度,GB/s
4,833.8
16.3
写入速度,GB/s
2,123.3
11.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2849
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
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