RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
59
Autour de -168% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
2,123.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
22
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2340
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link