RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
42
Autour de -75% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
24
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
2821
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link