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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
42
Por volta de -75% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
24
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
8.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2150
2821
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparações de RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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