RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
59
Autour de -103% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
29
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2916
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
INTENSO M418039 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link