RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
59
Autour de -146% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
2,123.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2408
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link