RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
59
Por volta de -146% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
2,123.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
24
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
7.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2408
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link