RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
59
67
Autour de 12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
2,123.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
67
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
1876
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB Comparaison des RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link