RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
67
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
67
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
1876
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link