RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
24
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3171
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link