RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3171
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link