RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
59
Autour de -103% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
29
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
16.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3748
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link