RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
19
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
59
Autour de -136% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
25
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3668
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link