RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
22.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
18.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
59
Autour de -247% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
17
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
22.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
18.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3847
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link