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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
22.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
18.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
59
Intorno -247% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
17
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
22.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
18.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3847
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
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