Confronto tra le RAM Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Punteggio complessivo

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

5 14.3

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

2,135.0 11.4

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

28 51

Intorno -82% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

17000 6400

Intorno 2.66 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

855 2481

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns