RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
22.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
59
Autour de -97% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
22.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
16.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3697
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link