Comparaison de la RAM Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Note globale

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

4 16

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

2,123.3 12.6

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

37 59

Autour de -59% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 6400

Autour de 3 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

731 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns