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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
12.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
59
Intorno -59% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
37
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
2808
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
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