Confronto tra le RAM Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Punteggio complessivo

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

4 16

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

2,123.3 12.6

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

37 59

Intorno -59% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 6400

Intorno 3 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

731 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns