RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
59
Autour de -157% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
23
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3057
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F5-6000U3636E16G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link