RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
59
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3057
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link