RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
12
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
59
Autour de -111% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
2,123.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
12.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2347
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 9905471-084.A01LF 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link