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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
12
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
59
Por volta de -111% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
2,123.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
28
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
12.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
9.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2347
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
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Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Comparações de RAM
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
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