RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
11.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
59
Autour de -79% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
33
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3110
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link