RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
11.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
59
Intorno -79% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
33
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3110
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link