RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
10.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
104
Intorno -300% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
26
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
2480
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link