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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
10.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
104
En -300% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2480
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
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