RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
69
Autour de -97% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
35
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
2607
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link