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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
69
Por volta de -97% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
35
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
9.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
2607
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
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