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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
69
Autour de -245% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
20
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
3652
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
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A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMY16GX3M2A1600C9 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
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