RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
69
Autour de -103% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.9
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
34
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
16.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
3465
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link