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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
69
Autour de -86% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
37
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
2939
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
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