RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
69
Autour de -86% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
37
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
2971
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link