RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
69
Autour de -116% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
5.4
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
11.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
5.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
1424
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link