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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
69
Autour de -130% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
3373
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
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