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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
69
Autour de -188% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
2761
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
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