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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Confronto
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
69
Intorno -188% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
1,857.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
24
Velocità di lettura, GB/s
4,217.2
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,857.7
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
668
2761
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
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