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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
58
Autour de -176% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
21
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
2930
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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